| 发明名称 | 半导体制程 | ||
| 摘要 | |||
| 申请公布号 | TWI474484 | 申请公布日期 | 2015.02.21 |
| 申请号 | TW101117451 | 申请日期 | 2012.05.16 |
| 申请人 | 华邦电子股份有限公司 | 发明人 | 吕珈宏;支高雄;倪志荣 |
| 分类号 | H01L29/78;H01L21/205 | 主分类号 | H01L29/78 |
| 代理机构 | 代理人 | 詹铭文 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1;叶璟宗 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1 | |
| 主权项 | 一种半导体制程，包括：提供一基底，该基底具有一晶胞区与一周边区；于该晶胞区的该基底上形成多数个第一闸极结构以及于该周边区的该基底上形成至少一第二闸极结构；于该基底上形成一介电层，以覆盖该些第一闸极结构及该第二闸极结构；于该基底上形成一非晶矽层，以覆盖该第二闸极结构以及至少填满该些第一闸极结构之间的间隙；对该非晶矽层进行一再结晶制程，以形成一第一多晶矽层；以及于该第一多晶矽层上形成一第二多晶矽层，其中该非晶矽层的形成温度低于该第二多晶矽层的形成温度。 | ||
| 地址 | 台中市大雅区科雅一路8号 | ||