| 摘要 |
1. Способ формирования темплейта полупроводникового светоизлучающего устройства, характеризующийся тем, что на размещенной в реакторе кремниевой подложке с ориентацией (100) разориентированной на 1-10˚ в направлении <011>, формируют наноступени на ее поверхности путем нагрева до температуры 1270-1290˚С, после чего атмосфере оксида углерода на каждой ступени вдоль ее ребра методом твердофазной эпитаксии формируют продольный клинообразный выступ карбида кремния, имеющий вершину, выступающую над площадкой ступени, и имеющий наклонную грань, доходящую до площадки низлежащей ступени, с образованием угла откоса 30-40˚, и на сформированной складчатой поверхности методом гидридной парофазной эпитаксии синтезируют буферный слой нитрида алюминия, на котором этим же методом формируют слой нитрида галлия полуполярной (20-23) ориентации, после чего удаляют кремниевую подложку методом травления.2. Полупроводниковое светоизлучающее устройство, характеризующееся тем, что имеет в своем составе электроды и темплейт, на котором сформированы активные слои устройства, при этом темплейт имеет в своей основе слой нитрида галлия полуполярной (20-23) ориентации, сформированный на буферном слое нитриды алюминия, нанесенного на складчатую поверхность слоя карбида кремния.3. Полупроводниковое светоизлучающее устройство по п.2, отличающееся тем, что темплейт сформирован согласно способу по п.1. |
