发明名称 СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ ЭМИТТЕРНОЙ ОБЛАСТИ ТРАНЗИСТОРА
摘要 Способ диффузии фосфора из твердого планарного источника, включающий формирование диффузионных кремниевых структур с использованием твердого планарного источника фосфора, отличающийся тем, что процесс проводят при температуре 900°C на этапе загонки при следующем соотношении компонентов: O=40±0,5 л/ч; N=750 л/ч; H=8 л/ч и времени, равном 40 мин; на этапе разгонки процесс проводят при температуре 1000°C при следующем расходе газов: O=40±0,5 л/ч; N=750 л/ч и времени разгонки, равном 75 ч.
申请公布号 RU2013137974(A) 申请公布日期 2015.02.20
申请号 RU20130137974 申请日期 2013.08.13
申请人 ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ "ДАГЕСТАНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ" (ДГТУ) 发明人 Исмаилов Тагир Абдурашидович;Шахмаева Айшат Расуловна;Захарова Патимат Расуловна
分类号 H01L21/225 主分类号 H01L21/225
代理机构 代理人
主权项
地址