片側バッファを備え非対称に構築されるスタティックランダムアクセスメモリセル

摘要

バッファ回路（３６、３８）などの非対称状況を有するスタティックランダムアクセスメモリ（ＳＲＡＭ）セル（３０）における平衡された電気的性能。各メモリセル（３０）は、読み出しバッファ（３６、３８）などの回路特徴を含み、この回路特徴は、セル内の他のトランジスタ（３３ｂ、３４ｂ、３５ｂ）より大きなトランジスタサイズ（３３ａ、３４ａ、３５ａ）及び特徴を有し、この特徴は一層小さなトランジスタに非対称に影響を及ぼす。最良の性能のため、セルトランジスタ対が互いに電気的に整合されるべきである。非対称特徴に一層近いセルトランジスタの１つ又は複数は、非対称特徴の近接作用を補償するように、例えば、異なるチャネル幅、チャネル長さ、又は正味チャネルドーパント濃度を用いて異なって構築される。