| 摘要 |
<p>Multi-Bit-Speicherelement (500), mit einer Grabenstruktur (501), welche aufweist:•einen elektrisch leitenden Bereich (502);•einen auf dem elektrisch leitenden Bereich (502) ausgebildeten elektrisch isolierenden Bereich (503);•einen ersten in dem elektrisch isolierenden Bereich (503) ausgebildeten Floating-Gate-Bereich (504a), welcher erste Floating-Gate-Bereich (504a) zumindest teilweise über einer ersten Seitenfläche (502a) des elektrisch leitenden Bereiches (502) ausgebildet ist;•einen zweiten in dem elektrisch isolierenden Bereich (503) ausgebildeten Floating-Gate-Bereich (504b), welcher zweite Floating-Gate-Bereich (504b) zumindest teilweise über einer zweiten, der ersten Seitenfläche (502a) gegenüber liegenden Seitenfläche (502b) des elektrisch leitenden Bereiches (502) ausgebildet ist;•einen dritten in dem elektrisch isolierenden Bereich (503) ausgebildeten Floating-Gate-Bereich (514a), welcher dritte Floating-Gate-Bereich (514a) zumindest teilweise über der ersten Seitenfläche (502a) des elektrisch leitenden Bereiches (502) ausgebildet ist;•einen vierten in dem elektrisch isolierenden Bereich (503) ausgebildeten Floating-Gate-Bereich (514b), welcher vierte Floating-Gate-Bereich (514b) zumindest teilweise über der zweiten Seitenfläche (502b) des elektrisch leitenden Bereiches (502) ausgebildet ist, wobei bezogen auf eine vertikale Achse (170) der Grabenstruktur (501):•der erste Floating-Gate-Bereich (504a) über dem dritten Floating-Gate-Bereich (514a) ausgebildet ist;•der zweite Floating-Gate-Bereich (504b) über dem vierten Floating-Gate-Bereich (514b) ausgebildet ist; und wobei•die Floating-Gate-Bereiche (504a, 504b, 514a, 514b) durch den elektrisch isolierenden Bereich (503) voneinander und von dem elektrisch leitenden Bereich (502) elektrisch isoliert sind.</p> |
