| 摘要 |
<p>Ein rückwärts sperrender SiC-MOSFET (1004) umfasst einen aktiven Bereich (40), der eine MOS-Gate-Struktur umfasst, und einen Durchbruchspannungs-Strukturabschnitt (30), der den äußeren Umfang des aktiven Bereichs (40) umgibt, die auf der Oberflächenseite einer n–-dotierten SiC-Drift-Schicht (1) bereitgestellt werden, die auf einer Hauptoberfläche eines p+-dotierten SiC-Substrats (100) gezogen werden. Ein p-dotierter Isolierbereich (26) wird auf der seitlichen Oberfläche der n–-dotierten SiC-Drift-Schicht (1) bereitgestellt, um den äußeren Umfang des Durchbruchspannungs-Strukturabschnitts (30) zu umgeben und sich von der vorderen Oberfläche der n–-dotierten SiC-Drift-Schicht (1) bis zu dem p+-dotierten SiC-Substrat (100) zu erstrecken. Ein konkaver Abschnitt (101), der die n–-dotierte SiC-Drift-Schicht (1) durch das p+-dotierte SiC-Substrat (100) hindurch erreicht und eine untere Fläche aufweist, die der Fläche des aktiven Bereichs (40) entspricht, wird in einem Bereich der anderen Hauptoberfläche des p+-dotierten SiC-Substrats (100) bereitgestellt, der sich gegenüber dem aktiven Bereich (40) befindet. Ein Metallfilm (12) wird auf einer Innenwand des konkaven Abschnitts (101) bereitgestellt und kommt in Kontakt mit der n–-dotierten SiC-Drift-Schicht (1) auf dem Boden des konkaven Abschnitts (101), um einen Schottky-Übergang zu bilden.</p> |
