| 发明名称 |
Verfahren zur Herstellung eines Isoliermaterials, insbesondere in einer Halbleiteranordnung |
| 摘要 |
<p>Verfahren zum Ausbilden eines Isoliermaterials mit den Schritten: Ausbilden einer Grenzflächenschicht (122; 222; 322; 422); Entfernen eines Teilbereichs der Grenzflächenschicht (122; 222; 322; 422) zum Reduzieren der Dicke der Grenzflächenschicht (122; 222; 322; 422); Ausheilen der Grenzflächenschicht (122; 222; 322; 422); Ausbilden eines dielektrischen Materials (132; 232; 332; 432) mit hohem k über der Grenzflächenschicht (122; 222; 322; 422); und Nitridieren der Grenzflächenschicht (122; 222; 322; 422) zumindest an einer oberen Oberfläche nach dem Ausheilen der Grenzflächenschicht (122; 222; 322; 422).</p> |
| 申请公布号 |
DE102007055880(B4) |
申请公布日期 |
2015.02.19 |
| 申请号 |
DE20071055880 |
申请日期 |
2007.12.19 |
| 申请人 |
QIMONDA AG |
发明人 |
GOVINDARAJAN, SHRINIVAS |
| 分类号 |
H01L21/316;H01L21/8242;H01L27/108 |
主分类号 |
H01L21/316 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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