发明名称 Halbleiterchip mit integrierten Serienwiderständen
摘要 Ein Halbleiterchip weist einen Halbleiterkörper mit einer Unterseite, sowie mit einer Oberseite, die in einer vertikalen Richtung von der Unterseite beabstandet ist, ein aktives Transistorgebiet und ein nicht-aktives Transistorgebiet, eine in dem Halbleiterkörper ausgebildete Driftzone, ein Kontaktanschlusspad zur externen Kontaktierung des Halbleiterchips, und eine Vielzahl von Transistorzellen, die in dem Halbleiterkörper ausgebildet sind. Eine jede der Transistorzellen weist eine erste Elektrode auf. Eine jede einer Vielzahl von Verbindungsleitungen verbindet eine andere der ersten Elektroden an einer Verbindungsstelle der betreffenden Verbindungsleitung elektrisch mit dem Kontaktanschlusspad. Eine jede der Verbindungsleitungen weist einen Widerstandsabschnitt auf, der gebildet ist aus wenigstens einem von: einer lokal reduzierten Querschnittsfläche der Verbindungsleitung; und einem lokal erhöhten spezifischen Widerstand. eine jede der Verbindungsstellen und jeder der Widerstandsabschnitte ist im ein nicht-aktives Transistorgebiet angeordnet.
申请公布号 DE102014111279(A1) 申请公布日期 2015.02.19
申请号 DE201410111279 申请日期 2014.08.07
申请人 INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG 发明人 RÖSCH, MAXIMILIAN;HUTZLER, MICHAEL;NÖBAUER, GERHARD;PÖLZL, MARTIN;SIEMIENIEC, RALF
分类号 H01L29/78;H01L21/331;H01L21/336;H01L27/06;H01L29/06;H01L29/739 主分类号 H01L29/78
代理机构 代理人
主权项
地址