一种铟镓砷红外探测器及其制备方法

摘要

本发明公开了一种基于衬底剥离工艺的倒装台面型铟镓砷（InGaAs）红外探测器及其制备方法，所述探测器外延结构包括磷化铟单晶衬底上依次生长赝晶砷化铝牺牲层、磷化铟缓冲层、铟镓砷腐蚀阻挡层、磷化铟帽层、铟镓砷本征吸收层、磷化铟欧姆接触层。所述工艺步骤包括：在磷化铟欧姆接触层表面制备光学减反膜；通过衬底剥离工艺，实现外延功能层与磷化铟衬底分离；选择性腐蚀去除磷化铟缓冲层及铟镓砷腐蚀阻挡层，在磷化铟帽层上进行台面刻蚀，钝化，电极制备工艺；通过倒焊工艺将芯片与读出电路封装在一起。剥离后的磷化铟单晶衬底经过简单处理后，可以重复用于外延生长，重复次数在20次以上，可大大降低铟镓砷探测器的生产成本。

主权项

一种铟镓砷红外探测器的结构，其特征在于：包括以外延方式依次倒装生长的P型磷化铟（InP）帽层、本征铟镓砷（In_0.53Ga_0.47As）吸收层、N型磷化铟欧姆接触层；通过对帽层进行台面刻蚀，实现铟镓砷红外探测器各像素元之间的隔离；铟镓砷红外探测器芯片通过倒焊方式与读出电路封装在一起，形成背入射结构。