发明名称 光半导体装置
摘要 本发明提供一种光半导体装置,其具有表面形成有镀银层的基板、键合在所述镀银层上的发光二极管、围住所述发光二极管的光反射部、填充于所述光反射部而将所述发光二极管密封的透明密封部、以及被覆所述镀银层的粘土膜,所述透明密封部与所述光反射部接合在一起。
申请公布号 CN104364922A 申请公布日期 2015.02.18
申请号 CN201380029857.X 申请日期 2013.06.06
申请人 日立化成株式会社 发明人 东内智子;高根信明;山浦格;稻田麻希;横田弘
分类号 H01L33/62(2006.01)I;H01L33/52(2006.01)I;H01L33/60(2006.01)I 主分类号 H01L33/62(2006.01)I
代理机构 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人 刘凤岭;陈建全
主权项 一种光半导体装置,其中,具有:表面形成有镀银层的基板,键合在所述镀银层上的发光二极管,围住所述发光二极管的光反射部,填充于所述光反射部而将所述发光二极管密封的透明密封部,以及被覆所述镀银层的粘土膜;所述透明密封部和所述光反射部接合在一起。
地址 日本东京