发明名称 一种非隔离型单相光伏并网逆变器及其开关控制时序
摘要 本发明提供一种低导通损耗、低漏电流的非隔离型光伏并网逆变器及其开关控制时序,其中该光伏并网逆变器包括相互连接的分压电容支路(1)、全桥基本单元(2)、箝位支路(3)和续流支路(4)。本发明通过在单相全桥逆变电路的基础上分别加入两支可控开关管和两支二极管构成零电平续流支路和加入两支二极管和分压电容构成双向箝位支路,并配合开关时序可以实现功率传递阶段、死区阶段和续流阶段时共模电压均为同一恒定的电压值,从而消除非隔离并网逆变器的漏电流;并保证了功率传输阶段和续流阶段输出电流仅流经两支功率管,使得导通损耗最低。
申请公布号 CN103051233B 申请公布日期 2015.02.18
申请号 CN201210536368.0 申请日期 2012.12.12
申请人 东南大学 发明人 肖华锋
分类号 H02M7/537(2006.01)I 主分类号 H02M7/537(2006.01)I
代理机构 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 代理人 柏尚春
主权项 一种非隔离光伏并网逆变器,其特征在于:它包括分压电容支路(1)、全桥基本单元(2)、箝位支路(3)和续流支路(4);所述分压电容支路(1)由第一分压电容(C<sub>dc1</sub>)、第二分压电容(C<sub>dc2</sub>)组成;所述全桥基本单元(2)由第一功率开关管(S<sub>1</sub>)和第一功率二极管(D<sub>1</sub>)的并联组合、第二功率开关管(S<sub>2</sub>)和第二功率二极管(D<sub>2</sub>)的并联组合、第三功率开关管(S<sub>3</sub>)和第三功率二极管(D<sub>3</sub>)并联组合、第四功率开关管(S<sub>4</sub>)和第四功率二极管(D<sub>4</sub>)并联组合组成;所述箝位支路(3)由第七功率二极管(D<sub>7</sub>)、第八功率二极管(D<sub>8</sub>)组成;所述续流支路(4)由第五功率开关管(S<sub>5</sub>)和第五功率二极管(D<sub>5</sub>)的串联组合、第六功率开关管(S<sub>6</sub>)和第六功率二极管(D<sub>6</sub>)的串联组合组成;所述第一分压电容(C<sub>dc1</sub>)的正端分别连接太阳能电池正输出端、第一功率开关管(S<sub>1</sub>)和第三功率开关管(S<sub>3</sub>)的集电极、第一功率二极管(D<sub>1</sub>)和第三功率开关管(D<sub>3</sub>)的阴极;所述第一分压电容(C<sub>dc1</sub>)的负端分别连接第二分压电容(C<sub>dc2</sub>)的正端、第七功率二极管(S<sub>7</sub>)的阴极和第八功率二极管(S<sub>8</sub>)的阳极;所述第二分压电容(C<sub>dc2</sub>)的负端分别连接太阳能电池负输出端、第二功率开关管(S<sub>2</sub>)的发射极和第四功率开关管(S<sub>4</sub>)的发射极、第二功率二极管(D<sub>2</sub>)和第四功率二极管(D<sub>4</sub>)的阳极;所述第一功率开关管(S<sub>1</sub>)的发射极分别连接第二功率开关管(S<sub>2</sub>)的集电极、第一功率二极管(D<sub>1</sub>)的阳极和第二功率二极管(D<sub>2</sub>)的阴极,以及连接第五功率开关管(S<sub>5</sub>)的集电极、第六功率开关管(S<sub>6</sub>)的发射极和进网滤波器(<i>L</i><sub>1</sub>)的一端;所述第三功率开关管(S<sub>3</sub>)的发射极分别连接第四功率开关管(S<sub>4</sub>)的集电极、第三功率二极管(D<sub>3</sub>)的阳极和第四功率二极管(D<sub>4</sub>)的阴极,以及第五功率二极管(D<sub>5</sub>)的阴极、第六功率二极管(D<sub>6</sub>)的阳极和进网滤波器(<i>L</i><sub>2</sub>)的一端;所述第七功率二极管(D<sub>7</sub>)的阳极分别连接第五功率开关管(S<sub>5</sub>)的发射极、第五功率二极管(D<sub>5</sub>)的阳极;所述第八功率二极管(D<sub>8</sub>)的阴极分别连接第六功率开关管(S<sub>6</sub>)的集电极、第六功率二极管(D<sub>6</sub>)的阴极;所述第一功率开关管(S<sub>1</sub>)、第二功率开关管(S<sub>2</sub>)、第三功率开关管(S<sub>3</sub>)、第四功率开关管(S<sub>4</sub>)、第五功率开关管(S<sub>5</sub>)和第六功率开关管(S<sub>6</sub>)为全控型器件;所述第一功率开关管(S<sub>1</sub>)、第二功率开关管(S<sub>2</sub>)、第三功率开关管(S<sub>3</sub>)、第四功率开关管(S<sub>4</sub>)、第五功率开关管(S<sub>5</sub>)和第六功率开关管(S<sub>6</sub>)为IGBT或MOSFET。
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