晶圆级封装中的多接合

摘要

本公开提供了一种用于制造含多接合衬底的MEMS器件的方法。在实施例中，该方法包括：提供包含第一接合层的微机电系统(MEMS)衬底；提供包含第二接合层的半导体衬底；以及提供包含第三接合层的盖。该方法还包括：在第一和第二接合层处将MEMS衬底接合至半导体衬底；以及在第二和第三接合层处将盖接合至半导体衬底，以紧密的封装盖与半导体衬底之间的MEMS衬底。本公开还提供了一种由上述方法制造的MEMS器件。

主权项

一种含多接合衬底的微机电系统(MEMS)器件的制造方法，包括以下步骤：提供包含第一接合层的MEMS衬底，其中，所述第一接合层包括硅；提供包含第二接合层的半导体衬底；提供包含第三接合层的盖；在所述第一接合层和所述第二接合层处将所述MEMS衬底接合至所述半导体衬底；以及在所述第二接合层和所述第三接合层处将所述盖接合至所述半导体衬底，以紧密地封装所述盖与所述半导体衬底之间的所述MEMS衬底。