发明名称 |
一种具有电流模式频率补偿装置的降压型DC-DC变换器 |
摘要 |
本发明涉及一种降压型DC-DC变换器,尤其是涉及一种具有电流模式频率补偿装置的降压型DC-DC变换器。一种具有电流模式频率补偿装置的降压型DC-DC变换器,包括频率补偿装置,其特征在于:所述的频率补偿装置包括误差放大器和补偿模块。因此,本发明具有如下优点:1.节省了整个电路的面积,且改善了系统的动态响应速度;2.误差放大器的输出电流增大,这样加快了对补偿电容的充放电速度。 |
申请公布号 |
CN102324847B |
申请公布日期 |
2015.02.18 |
申请号 |
CN201110191269.9 |
申请日期 |
2011.07.08 |
申请人 |
武汉大学 |
发明人 |
江金光;汪家轲 |
分类号 |
H02M3/158(2006.01)I |
主分类号 |
H02M3/158(2006.01)I |
代理机构 |
武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 |
代理人 |
张火春 |
主权项 |
一种具有电流模式频率补偿装置的降压型DC‑DC变换器,包括频率补偿装置,其特征在于:所述的频率补偿装置包括误差放大器和补偿模块;所述的误差放大器包括偏置模块、第一差分输入模块以及第二电流放大模块;所述偏置模块同时与第一差分输入模块以及第二电流放大模块连接;所述的第二电流放大模块包括第一放大NMOS管M5、第二放大NMOS管M6、第一共源电流镜PMOS管M7、第二共源电流镜PMOS管M8、第一共栅电流镜PMOS管M9以及第二共栅电流镜PMOS管M10;所述第一放大NMOS管M5的漏极连接到第一共源电流镜PMOS管M7的漏极,栅极连接到第一负载NMOS管M3的栅极,源极连接到地;第二放大NMOS管M6的漏极连接到第二共源电流镜PMOS管M8的漏极,栅极连接到第二负载NMOS管M4的栅极,源极连接到地;第一共源电流镜PMOS管M7的漏极连接到第一放大NMOS管M5的漏极,栅极连接到其漏极,源极连接到第一共栅电流镜PMOS管M9的漏极;第二共源电流镜PMOS管M8的漏极连接到第二放大NMOS管M6的漏极,栅极连接到第一共源电流镜PMOS管M7的栅极,源极连接到第二共栅电流镜PMOS管M10的漏极;第一共栅电流镜PMOS管M9的漏极连接到第一共源电流镜PMOS管M7的源极,栅极连接到其漏极,源极连接到电源电压;第二共栅电流镜PMOS管M10的漏极连接到第二共源电流镜PMOS管M8的源极,栅极连接到第一共栅电流镜PMOS管M9的栅极,源极连接到电源电压;误差放大器的输出即为第二共源电流镜PMOS管M8以及第二放大NMOS管M6的漏极相连的端口处;所述的补偿模块包括电阻RZ、补偿电容CC、和第一频率补偿NMOS管Mc1、第二频率补偿NMOS管Mc2…第N频率补偿NMOS管McN;所述电阻RZ连接到第二共源电流镜PMOS管M8的漏极和第一频率补偿NMOS管Mc1的漏极;补偿电容CC连接到第一频率补偿NMOS管Mc1的源极和地之间;所述第一频率补偿NMOS管Mc1、第二频率补偿NMOS管Mc2…第N频率补偿NMOS管McN的漏极均与所述电阻RZ相连,所述第一频率补偿NMOS管Mc1、第二频率补偿NMOS管Mc2…第N频率补偿NMOS管McN栅极连接到偏置电压Vbias。 |
地址 |
430072 湖北省武汉市武昌区珞珈山武汉大学 |