沉积氮化硅膜的方法、晶硅太阳能电池及其制作方法

摘要

本发明提供了一种沉积氮化硅膜的方法、晶硅太阳能电池及其制作方法。该沉积氮化硅膜的方法采用平板式PECVD沉积氮化硅膜，平板式PECVD的带速为180~200cm/min，平板式PECVD的腔室包括2n条气路，n为1<n<5的整数，硅片依次通过平板式PECVD的腔室的2n条气路后沉积形成氮化硅膜，前（n-1）条气路中每条气路的反应气体流量为Q₁且反应气体中各气体组分的体积比为a；后（n+1）条气路中每条气路的反应气体流量为Q₂且反应气体中各气体组分的体积比为b，Q₁和Q₂不相等，a和b不相等。本发明在高带速下沉积氮化硅膜，通过改变反应气的流量控制方法得到两层氮化硅膜，改善了氮化硅膜的减反射作用。

主权项

一种沉积氮化硅膜的方法，其特征在于，所述方法采用平板式PECVD沉积氮化硅膜，所述平板式PECVD的带速为180～200cm/min，所述平板式PECVD的腔室包括2n条气路，n为1<n<5的整数，硅片依次通过所述平板式PECVD的腔室的2n条气路后沉积形成所述氮化硅膜，所述2n条气路中：前(n‑1)条气路中每条气路的反应气体流量为Q₁且所述反应气体中各气体组分的体积比为a；后(n+1)条气路中每条气路的反应气体流量为Q₂且所述反应气体中各气体组分的体积比为b，所述Q₁和所述Q₂不相等，所述a和所述b不相等；其中所述反应气体中的气体组分为SiH₄和NH₃，所述前(n‑1)条气路中，所述反应气体中SiH₄和NH₃的体积比a为1:1.2～1:2，且所述SiH₄的流量为180～250sccm；所述后(n+1)条气路中，所述反应气体中SiH₄和NH₃的体积比b为1:3～1:4，且所述SiH4的流量为90～130sccm；所述前(n‑1)条气路中和所述后(n+1)条气路中，所述NH₃的流量均为300～450sccm。