一种碳化硅晶体高温退火处理方法

摘要

本发明公开了一种碳化硅晶体高温退火处理方法，首先为防止高温阶段晶体表面的反向升华损伤，采用退火石墨坩埚，并在退火石墨坩埚底部放入一定量的高纯碳化硅粉料，装入碳化硅晶体，然后在高频感应加热炉内真空纯化处理，30min升温至1000~1100℃，充入Ar气至压力500~800mbar；3h升温至1800~2400℃，持续充入Ar气，流量为30~60ml/min，控制压力在100~300mbar，保温时间5~10h，然后以10℃/min缓慢降至室温后取出碳化硅晶体。经高温退火处理的碳化硅晶体内部热应力明显降低，避免了晶体滚圆、切割过程中的变形开裂现象，提高了碳化硅晶体加工成品率。

主权项

一种碳化硅晶体高温退火处理方法，其特征在于，包括如下步骤： （1）.在退火石墨坩埚底部均匀放入20~50g碳化硅粉料，以防止在高温阶段中碳化硅晶体表面的反向升华，将碳化硅晶体放置在退火石墨坩埚内，装配好石墨坩埚，并放置在晶体退火炉内的线圈中心部位；（2）.晶体退火炉密闭后进行抽真空处理，至真空度小于5×10^‑5mbar，升温至1000~1100℃，升温时间30min；待真空度小于2×10^‑5mbar后，充入Ar气至压力500~800mbar；（3）.升温至1800~2400℃，升温时间3h，持续充入Ar气，流量为30~60ml/min，控制压力在100~300mbar，保温时间5~10h，然后以10℃/min缓慢降至室温后取出碳化硅晶体。