发明名称 一种基于碳纳米管阵列的柔性红外传感器及其制备方法
摘要 本发明提供了一种基于碳纳米管阵列的柔性红外传感器及其制备方法,属于柔性红外传感器制备领域。包括衬底和位于衬底之上的红外敏感材料,所述红外敏感材料为P型碳纳米管阵列和N型碳纳米管阵列形成的P-N结,所述P型碳纳米管阵列和N型碳纳米管阵列上均设置有电极。该柔性红外传感器采用P型碳纳米管阵列和N型碳纳米管阵列组成的P-N结作为红外敏感材料,当器件受到红外光照射时,可通过测试P-N结开路电压来表征红外响应,降低了功耗,无需使用电压或电流源表,方便使用,且该柔性传感器可重复弯曲而不影响器件的性能,具有良好的稳定性。
申请公布号 CN104359561A 申请公布日期 2015.02.18
申请号 CN201410674373.7 申请日期 2014.11.21
申请人 电子科技大学 发明人 林媛;黄振龙;高敏;伍博;潘泰松
分类号 G01J5/22(2006.01)I 主分类号 G01J5/22(2006.01)I
代理机构 电子科技大学专利中心 51203 代理人 李明光
主权项 一种基于碳纳米管阵列的柔性红外传感器,包括衬底和位于衬底之上的红外敏感材料,所述红外敏感材料为P型碳纳米管阵列和N型碳纳米管阵列形成的P‑N结,所述P型碳纳米管阵列和N型碳纳米管阵列上均设置有电极。
地址 611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号