发明名称 半导体功率模块和电力转换装置
摘要 本发明涉及半导体功率模块、电力转换装置和水路形成体的制造方法。本发明的目的在于提供一种能够降低损失的半导体功率模块。为了解决上述课题,半导体功率模块(110)是具备与电容模块(200)连接的直流端子(111a、111b)、并且与冷却用的水路形成体(101)组合在一起来使用的半导体功率模块(110),其特征在于,直流端子(111a、111b)比所述水路形成体(101)向电容模块(200)侧凸出。
申请公布号 CN102169858B 申请公布日期 2015.02.18
申请号 CN201110032685.4 申请日期 2011.01.27
申请人 株式会社日立功率半导体 发明人 堀内敬介;日吉道明;佐佐木康二
分类号 H01L23/473(2006.01)I;H02M1/00(2007.01)I;H05K7/20(2006.01)I;H01L21/48(2006.01)I 主分类号 H01L23/473(2006.01)I
代理机构 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 代理人 许静;郭凤麟
主权项 一种半导体功率模块,其具备与电容模块连接的直流端子,并且该半导体功率模块与冷却用的水路形成体组合在一起来使用,所述半导体功率模块的特征在于, 所述直流端子比所述水路形成体向所述电容模块侧凸出; 所述半导体功率模块还具有:散热器,其通过与所述水路形成体内的冷媒接触来对从多个电力用半导体元件产生的热进行散热;以及交流端子, 所述直流端子和所述交流端子从半导体功率模块主体突出, 所述散热器配置在所述半导体功率模块主体的、所述半导体功率模块与所述水路形成体进行组合的一侧; 所述直流端子设置在所述半导体功率模块的外周的一条边上, 所述交流端子设置在与所述直流端子相反的边上, 所述半导体功率模块还具有:层叠平板,其设置在所述直流端子与所述交流端子之间;以及弱电系统的电极,其设置在与设置有所述直流端子和所述交流端子的边不同的边上。 
地址 日本茨城县