| 发明名称 | 制造单晶的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种制造单晶的方法，所述方法包括：准备具有前表面和背表面的晶种(11)；提高所述晶种(11)的所述背表面的表面粗糙度；在所述晶种(11)的所述背表面上形成含碳的涂膜；在所述涂膜与支持台(41)之间具有胶粘剂的情况下使所述涂膜与支持台(41)相互接触；将所述胶粘剂固化以将所述晶种(11)固定到所述支持台(41)上；在所述晶种(11)上生长单晶(52)；其中在实施所述生长之前，通过对所述涂膜进行碳化来形成碳膜(22)。 | ||
| 申请公布号 | CN102414349B | 申请公布日期 | 2015.02.18 |
| 申请号 | CN201080019023.7 | 申请日期 | 2010.11.12 |
| 申请人 | 住友电气工业株式会社 | 发明人 | 西口太郎;佐佐木信;原田真 |
| 分类号 | C30B23/08(2006.01)I;C30B29/36(2006.01)I | 主分类号 | C30B23/08(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人 | 陈海涛;樊卫民 |
| 主权项 | 一种制造单晶的方法，所述方法包括：准备具有前表面和背表面的晶种(11)的步骤；提高所述晶种(11)的所述背表面的表面粗糙度的步骤；在所述提高所述背表面的表面粗糙度的步骤之后在所述晶种(11)的所述背表面上形成含碳的涂膜的步骤；在所述涂膜与支持台(41)之间具有胶粘剂的情况下使所述涂膜与支持台(41)相互接触的步骤；将所述胶粘剂固化以将所述晶种(11)固定到所述支持台(41)的步骤；以及在固定到所述支持台(41)的所述晶种(11)上生长所述单晶的步骤，其中在所述生长步骤之前，通过对所述涂膜进行碳化来形成碳膜(22)，所述涂膜的表面粗糙度小于其上形成所述涂膜的所述晶种(11)的所述背表面的表面粗糙度。 | ||
| 地址 | 日本大阪府大阪市 | ||