半导体设备的温度控制装置、控制系统及其控制方法

摘要

本发明公开了一种温度控制装置，包括硅片承载部，多个光加热部，测温部和温度控制部。硅片承载部包括工艺腔室、水平保持硅片的基座以及旋转该基座的旋转机构。多个光加热部向硅片射出加热光以在硅片表面形成多个加热区域，其包括平行分布于工艺腔室外部的上侧和下侧、在水平面方向相互垂直设置的多个第一线状线加热器和多个第二线状加热器；测温部包括多个用于测量各加热区域的温度的温度传感器，位于工艺腔室内对应于多个加热区域的位置。温度控制部根据多个温度传感器输出的温度值及各加热区域的目标温度控制各光加热部的输出功率。本发明可以实现对硅片快速升降温的精确控制，并能够保证硅片内各点的温度均匀性。

主权项

一种温度控制装置，其特征在于，包括：硅片承载部，其包括内部形成一封闭处理空间的工艺腔室、位于所述工艺腔室内用于水平保持硅片的基座以及旋转所述基座的旋转机构；多个光加热部，用于向所述硅片射出加热光以在所述硅片表面形成多个加热区域，其包括多个第一线状线加热器和多个第二线状加热器，该第一线状加热器和第二线状加热器平行分布于所述工艺腔室外部的上侧和下侧、在水平面方向相互垂直设置；测温部，包括多个温度传感器，位于所述工艺腔室内对应于所述多个加热区域的位置，用于测量各所述加热区域的温度；温度控制部，根据所述多个温度传感器输出的温度值及各所述加热区域的目标温度控制所述多个光加热部的输出功率。