减小3D NAND非易失性存储器中的弱擦除型读取干扰

摘要

一种用于3D堆叠式存储器装置的读取处理，针对未选中的存储器串提供沟道升压的最优电平，以抑制正常读取干扰和弱擦除型读取干扰二者。通过控制位线的电压(Vbl)、漏极侧选择栅极的电压(Vsgd_unsel)、源极侧选择栅极的电压(Vsgs_unsel)、存储器装置的选中的层级(字线层)的电压(Vcg_sel)以及存储器装置的未选中的层级(字线层)的电压(Vcg_unsel)来对沟道进行升压。可以通过初始使漏极侧选择栅极和源极侧选择栅极不导电以允许与增大的Vcg_unsel的电容耦合来对沟道进行升压。然后通过提高Vsgd_unsel和/或Vsgs_unsel来使漏极侧选择栅极和/或源极侧选择栅极不导电，从而中断升压。当Vcg_unsel持续增大时，通过使漏极侧选择栅极和/或源极侧选择栅极再次导电可以另外发生升压。或者，可以以Vbl驱动沟道。两步升压以Vbl驱动沟道然后通过电容耦合来提供升压。

主权项

一种用于在包括多个层级的存储器单元的3D堆叠式非易失性存储器装置中进行读取操作的方法，所述读取操作针对处于所述多个层级中的选中的层级中的选中的存储器单元来进行，所述方法包括：针对处于所述多个层级中的未选中的层级中的存储器单元，将通过电压(Vcg_unsel)从初始电平(例如，0V)增大到至少第一升高电平(Vread_pass)，所述多个层级的存储器单元中的所述存储器单元布置在至少一个选中的存储器单元串和至少一个未选中的存储器单元串中，所述至少一个选中的存储器单元串包括所述选中的存储器单元中的至少一个选中的存储器单元并且包括具有相关联的第一选择栅极(SGD)的漏极端和具有相关联的第二选择栅极(SGS)的源极端，并且，所述至少一个未选中的存储器单元串不包括所述选中的存储器单元中的任何选中的存储器单元并且包括具有相关联的第三选择栅极(SGD)的漏极端和具有相关联的第四选择栅极(SGS)的源极端；在所述增大期间，将所述第一选择栅极设置为处于导电状态；当将所述第一选择栅极设置为处于所述导电状态时，使所述第三选择栅极和所述第四选择栅极中的至少一个选择栅极在不导电状态与所述导电状态之间转变；以及将控制栅极读取电压施加给所述选中的存储器单元，并且感测所述选中的存储器单元中的所述至少一个选中的存储器单元的阈值电压是否高于所述控制栅极读取电压。