一种发光二极管

摘要

本发明公开了一种发光二极管，至少包括：N型层、发光层以及P型层，其特征在于：所述发光层在外延制程中形成V型坑，V型坑内填充至少一种金属纳米颗粒，产生表面等离子耦合效应，增加空穴和电子的复合几率，提高内量子效率；进一步地，N型层在外延制程中形成V型坑，V型坑内填充至少一种金属纳米颗粒，产生表面等离子耦合效应，增加光的反射，提高光取出效率，提高外量子效率，从而显著提高发光二极管的发光效率；而且直接利用在外延制程中通过调节生长速率、厚度、温度、压力或掺杂形成V型坑，无需蚀刻工艺，避免对发光二极管外延层的破坏，简化工艺，提高器件稳定性。

主权项

一种发光二极管，至少包括：N型层、发光层以及P型层，其特征在于：在所述发光层中形成V型坑，且V型坑内填充至少一种金属纳米颗粒。