化合物半导体装置以及制造该化合物半导体装置的方法

摘要

一种化合物半导体装置，包括：Au合金电极、层间绝缘膜、金属布线、以及氧化膜。所述Au合金电极形成在化合物半导体上。所述层间绝缘膜形成在所述Au合金电极上。所述金属布线通过在所述层间绝缘膜中所形成的接触孔而与所述Au合金电极相连接。所述氧化膜形成在所述Au合金电极和层间绝缘膜之间的界面处，该氧化膜的主成分为所述化合物半导体的构成元素。

主权项

一种制造化合物半导体装置的方法，包括：在化合物半导体上形成Au合金电极；在氧化性气体的存在下对所述Au合金电极进行退火，从而在所述Au合金电极的表面上形成氧化膜，该氧化膜的主成分为所述化合物半导体的构成元素；在退火后的所述Au合金电极上形成层间绝缘膜；在所述层间绝缘膜中形成接触孔，同时除去所述氧化膜的一部分；以及在所述接触孔中形成金属布线。