垂直双栅极电路结构

摘要

本发明公开了一种垂直双栅极电路结构，包含：具有一凹槽的一半导体基板；置于该凹槽表面的一第一绝缘层；置于该凹槽下半部的一底部导体，该底部导体通过多个长垂直导体柱连接至一外接偏压；置于该凹槽上半部的一顶部导体，该顶部导体连接至多个短垂直导体柱，且该顶部导体的顶端表面高于该半导体基板的表面；以及置于该底部导体和该顶部导体间的一第二绝缘层。本发明用来解决短通道效应。

主权项

一种电路结构，其特征在于，包含：一半导体基板，具有一凹槽；一第一绝缘层，设置于该凹槽中；一底部导体，设置于该凹槽下半部，该底部导体经由多个长垂直导体柱连结至一外部偏压；一顶部导体，设置于该凹槽上半部，该顶部导体连结至多个短垂直导体柱，且该顶部导体的顶部表面高于该半导体基板的表面，其中连结至该顶部导体的该多个短垂直导体柱为连接至一字符线的第二导体柱，其经配置以将该顶部导体与该字符线的一第二电极电气相连；以及一第二绝缘层，设置于该底部导体及该顶部导体之间。