发明名称 一种OOK射频接收机
摘要 本发明提出一种OOK射频接收机,包括:天线;与所述天线相连的低噪声放大器,其中,所述低噪声放大器采用电流复用结构;与所述低噪声放大器相连的射频信号放大器,其中,所述射频信号放大器采用反相器结构;与所述射频信号放大器相连的包络检波器,其中,所述包络检波器为峰值包络检波器;与所述包络检波器相连的基带信号放大器;与所述基带信号放大器相连的比较器,其中,所述比较器为动态比较器。该OOK射频接收机具有高数据率,低功耗,易实现,芯片面积小的优点。
申请公布号 CN102882821B 申请公布日期 2015.02.18
申请号 CN201210340017.2 申请日期 2012.09.13
申请人 清华大学 发明人 邹伟;赵博;杨华中
分类号 H04L27/06(2006.01)I 主分类号 H04L27/06(2006.01)I
代理机构 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 代理人 张大威
主权项 一种OOK射频接收机,其特征在于,包括:天线;与所述天线相连的低噪声放大器,其中,所述低噪声放大器采用电流复用结构;与所述低噪声放大器相连的射频信号放大器,其中,所述射频信号放大器采用反相器结构;与所述射频信号放大器相连的包络检波器,其中,所述包络检波器为峰值包络检波器;与所述包络检波器相连的基带信号放大器;与所述基带信号放大器相连的比较器,其中,所述比较器为动态比较器,其中,所述低噪声放大器进一步包括:第一NMOS管和第一PMOS管,所述第一NMOS管的源极与所述第一PMOS管的源极相连,所述第一NMOS管的栅极与电源相连,所述第一PMOS管的栅极与第一PMOS管的漏极相连,其中,所述第一NMOS管和第一PMOS管之间具有第一节点;第二NMOS管和第二PMOS管,所述第二NMOS管的源极与所述第二PMOS管的源极相连,所述第二NMOS管的漏极与所述第一PMOS管的漏极相连,所述第二PMOS管的栅极与地相连,所述第二NMOS管的栅极与第二NMOS管的漏极相连,其中,所述第二NMOS管和第二PMOS管之间具有第二节点;第一电感,所述第一电感的一端与电源相连,所述第一电感的另一端与所述第一NMOS管的漏极相连,第一电容,所述第一电容与所述第一电感并联;第二电感,所述第二电感的一端与地相连,所述第二电感的另一端与所述第二PMOS管的漏极相连,第二电容,所述第二电容与所述第二电感并联;第一交流耦合电容和第二交流耦合电容,所述第一交流耦合电容的一端与所述天线相连,所述第一交流耦合电容的另一端与所述第一节点相连,所述第二交流耦合电容的一端与所述天线相连,所述第二交流耦合电容的另一端与所述第二节点相连;以及第三交流耦合电容和第四交流耦合电容,所述第三交流耦合电容的一端与输出端相连,所述第三交流耦合电容的另一端与所述第一NMOS管的漏极相连,所述第四交流耦合电容的一端与输出端相连,所述第四交流耦合电容的另一端与所述第二PMOS管的漏极相连。
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