发明名称 粒子を製造するためのプラズマ・スパッタリング・プロセス
摘要 A high production rate plasma sputtering process for producing particles having a size of 10 μm or less is disclosed. The process causes ionization of at least a part of the sputtered target atoms and is performed at such parameters that the pick-up probability of ionized sputtered target atoms on the surface of grains is high.
申请公布号 JP5670483(B2) 申请公布日期 2015.02.18
申请号 JP20120554964 申请日期 2011.02.22
申请人 ティア・エービーTiA AB 发明人 ヘルメルソン、ウルフ;ブレンニング、ニルス;セデルストレム、ダニエル
分类号 C23C14/00;C23C14/35;H05H1/24;H05H1/46 主分类号 C23C14/00
代理机构 代理人
主权项
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