发明名称 |
一种低温制备导电Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub>-ZrB<sub>2</sub>复相陶瓷的方法 |
摘要 |
本发明公开了一种低温制备导电Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub>-ZrB<sub>2</sub>复相陶瓷的方法,涉及非氧化物陶瓷材料领域,该方法在避免Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub>和ZrB<sub>2</sub>反应的前提下,1300~1550℃低温下制备高致密、导电Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub>-ZrB<sub>2</sub>复相陶瓷;本发明以Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub>粉和ZrB<sub>2</sub>粉为原料,以MgO-Re<sub>2</sub>O<sub>3</sub>为添加剂;按配比经混料,干燥后得到Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub>-ZrB<sub>2</sub>-MgO-Re<sub>2</sub>O<sub>3</sub>混合粉体;将混合粉体放入模具中,通过热压烧结获得导电Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub>-ZrB<sub>2</sub>复相陶瓷;所述方法制备得到的导电Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub>-ZrB<sub>2</sub>复相陶瓷的相对密度大于96%,硬度为15~25GPa,断裂韧性为4~8MPa·m<sup>1/2</sup>,抗弯强度为600~1200Mpa,电阻率为1*10<sup>4</sup>Ω.cm~1*10<sup>-5</sup>Ω.cm;复相陶瓷材料主相Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub>和ZrB<sub>2</sub>两相,显微结构均匀、气孔率小,具有优异的力学和导电性能。 |
申请公布号 |
CN104355626A |
申请公布日期 |
2015.02.18 |
申请号 |
CN201410317307.4 |
申请日期 |
2014.07.04 |
申请人 |
广东工业大学 |
发明人 |
郭伟明;古尚贤;蒋强国;熊明;游洋;伍尚华 |
分类号 |
C04B35/584(2006.01)I;C04B35/58(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I |
主分类号 |
C04B35/584(2006.01)I |
代理机构 |
广州粤高专利商标代理有限公司 44102 |
代理人 |
林丽明 |
主权项 |
一种低温制备导电Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub>‑ZrB<sub>2</sub>复相陶瓷的方法,其特征在于包括如下步骤: (1)以Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub>粉和ZrB<sub>2</sub>粉为原料,以MgO‑Re<sub>2</sub>O<sub>3</sub>为添加剂,其中Re<sub>2</sub>O<sub>3</sub>为稀土氧化物,Re是Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb或Lu;按Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub>:ZrB<sub>2</sub>:MgO‑Re<sub>2</sub>O<sub>3</sub>的体积分数比为50~89%:10~40%:1~10%的配比,经混料、干燥后得到Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub>‑ZrB<sub>2</sub>‑MgO‑Re<sub>2</sub>O<sub>3</sub>混合粉体;所述的MgO‑Re<sub>2</sub>O<sub>3</sub>中MgO:Re<sub>2</sub>O<sub>3</sub>的体积分数比为1~99%:99~1%; (2)将Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub>‑ZrB<sub>2</sub>‑MgO‑Re<sub>2</sub>O<sub>3</sub>混合粉体放入模具中,通过热压烧结获得导电Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub>‑ZrB<sub>2</sub>复相陶瓷。 |
地址 |
510006 广东省广州市番禺区广州大学城外环西路100号 |