用于制备III-N模板及其继续加工的方法和III-N模板

摘要

本发明涉及制备III-N-模板和制备III-N-单晶，其中III表示元素周期表第三主族中选自Al、Ga和In的至少一种元素。通过在晶体生长过程中调节确定的参数可以获得III-N-模板，所述模板赋予在异质衬底上生长的晶体层特性，所述特性使得能够获得模板形式的或甚至具有大的III-N-层厚的无裂纹的III-N单晶。

主权项

用于制备模板的方法，所述模板包括衬底和至少一个III‑N‑晶体层，其中III表示元素周期表第三主族中选自Al、Ga和In的至少一种元素，其中该方法包括提供包含蓝宝石的异质衬底和在所述衬底上生长晶体III‑N‑材料的步骤，其中将掩膜材料作为中间层沉积在任选具有III‑N成核层异质衬底上，或离衬底或任选设置的III‑N成核层一定距离地沉积在晶体III‑N‑材料中，和然后进行或继续晶体III‑N‑材料的生长，其中掩膜材料的中间层相对异质衬底或任选在其上形成的III‑N成核层的可能距离为最大300nm，和其中，当在晶体生长期间III‑N‑晶体的生长表面的曲率在第一相对较早的时间点用K_a标记和在第二相对较晚的时间点用K_e标记时，提供K_a‑K_e≥0的曲率差。