阵列基板的制造方法

摘要

本发明涉及一种阵列基板的制造方法，所述阵列基板包括顺序堆叠的衬底层、栅极绝缘层、金属氧化物层和金属层，所述方法包括：在所述阵列基板上形成光刻胶层；利用掩膜板对所述光刻胶层进行曝光显影，经曝光显影后的光刻胶层在所述阵列基板的第一区域上的厚度小于在所述阵列基板的第二区域上的厚度，并且所述阵列基板的第三区域上不存在所述光刻胶层；对未覆盖有光刻胶层的所述第三区域进行蚀刻，直至到达所述栅极绝缘层；去除所述第一区域上的光刻胶层；去除所述第一区域中的金属层；去除所述第二区域上的光刻胶层；进行离子注入，以在所述第一区域内形成电容，在所述第二区域内形成沟道，在所述第三区域内形成源漏极区。

主权项

一种阵列基板的制造方法，所述阵列基板包括顺序堆叠的衬底层、栅极绝缘层、金属氧化物层和金属层，其特征在于，所述方法包括：在所述阵列基板上形成光刻胶层；利用掩膜板对所述光刻胶层进行曝光显影，经曝光显影后的光刻胶层在所述阵列基板的第一区域上的厚度小于在所述阵列基板的第二区域上的厚度，并且所述阵列基板的第三区域上不存在所述光刻胶层；对未覆盖有光刻胶层的所述第三区域进行蚀刻，直至到达所述栅极绝缘层；去除所述第一区域上的光刻胶层；去除所述第一区域中的金属层；去除所述第二区域上的光刻胶层；对上述步骤形成的所述阵列基板进行离子注入，以在所述第一区域内形成电容，在所述第二区域内形成沟道，在所述第三区域内形成源漏极区。