| 发明名称 | 消旋卡多曲α 晶型及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明属于药物晶型及制备技术领域，具体涉及一种消旋卡多曲α晶型及其制备方法。所述的消旋卡多曲α晶型，其X射线粉末衍射图的反射角2θ在4.2-4.3°、8.7-8.8°、13.2-13.3°、16.7-17.8°、17.7-17.8°和19.9-20.0°处显示X射线粉末衍射峰，在1135-1136cm<sup>-1</sup>、1551-1553cm<sup>-1</sup>、1644-1645cm<sup>-1</sup>、1687-1688cm<sup>-1</sup>、1731-1732cm<sup>-1</sup>和3287-3290cm<sup>-1</sup>处显示红外吸收峰。其制备方法是将消旋卡多曲溶于溶剂中，并加热至溶解，溶解后静置析晶，过滤，干燥。制得的消旋卡多曲α晶型纯度高，晶型稳定；其制备方法工艺简单、易于实施，收率为70％～80％，纯度≥99.0％。 | ||
| 申请公布号 | CN104356036A | 申请公布日期 | 2015.02.18 |
| 申请号 | CN201410624321.9 | 申请日期 | 2014.11.07 |
| 申请人 | 山东齐都药业有限公司 | 发明人 | 张涛;李宗涛;杨学谦;刘印;张爽;任继波 |
| 分类号 | C07C327/32(2006.01)I;A61K31/265(2006.01)I;A61P1/12(2006.01)I | 主分类号 | C07C327/32(2006.01)I |
| 代理机构 | 青岛发思特专利商标代理有限公司 37212 | 代理人 | 耿霞 |
| 主权项 | 一种消旋卡多曲α晶型，其特征在于：其使用Cu‑Kα辐射，在以2θ角度表示的粉末X射线衍射图谱中在4.2‑4.3°、8.7‑8.8°、13.2‑13.3°、16.7‑17.8°、17.7‑17.8°和19.9‑20.0°处显示X射线粉末衍射峰。 | ||
| 地址 | 255400 山东省淄博市临淄区人民东路28号 | ||