发明名称 |
在LED表面粗糙化中使用特征尺寸和形状控制的改进的光提取 |
摘要 |
发光器件(200)的光出射表面的结构特性被控制以便在表面被粗糙化时增加该表面(225)的光提取效率。包括具有对粗糙化过程的不同耐久性的材料的层的发光表面(225)展现出比暴露于相同粗糙化过程的实质上一致的发光表面更高的光提取效率。在GaN-型发光器件(200)中,与通过仅包括GaN材料的表面的常规蚀刻创建的特征相比,光出射表面(225)上或者附近的AlGaN材料的薄层(240)在蚀刻之后创建更尖锐的特征。 |
申请公布号 |
CN104364916A |
申请公布日期 |
2015.02.18 |
申请号 |
CN201380028774.9 |
申请日期 |
2013.05.22 |
申请人 |
皇家飞利浦有限公司 |
发明人 |
R.辛格;J.E.埃普勒 |
分类号 |
H01L33/22(2006.01)I |
主分类号 |
H01L33/22(2006.01)I |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 72001 |
代理人 |
孙之刚;景军平 |
主权项 |
一种方法,包括:形成包括光提取表面的结构,光提取表面包括具有第一材料特性的第一层和具有第二材料特性的第二层,以及粗糙化光提取表面以便创建延伸到第一和第二层中的特征;其中第一和第二材料特性对光提取表面的粗糙化反应实质上不相同。 |
地址 |
荷兰艾恩德霍芬 |