发明名称 |
一种阵列基板及制造方法 |
摘要 |
本发明提供了一种阵列基板及制作该基板的方法,将提供Gamma电压的电阻集成于阵列基板中,节约PCB板中原本为电阻留出的面积;又由于本阵列基板仅采用电阻即可提供Gamma电压,与采用Power IC相比,缩减了成本,且本发明提供的阵列基板功耗比较低。本发明提供的阵列基板包括:位于栅极绝缘层和钝化层之间的电阻,以及在钝化层覆盖电阻的区域上有至少一个通孔;其中,所述电阻与阵列基板中的有源层、源漏极层不连接。本发明提供的阵列基板制作方法包括:在栅极绝缘层上形成电阻,其中,所述电阻与阵列基板中的有源层、源漏极层分隔不连接;在电阻上形成钝化层,并通过刻蚀在钝化层覆盖电阻的区域上,形成至少一个通孔。 |
申请公布号 |
CN102645806B |
申请公布日期 |
2015.02.18 |
申请号 |
CN201210093643.6 |
申请日期 |
2012.03.31 |
申请人 |
北京京东方光电科技有限公司 |
发明人 |
何宗泽 |
分类号 |
G02F1/1362(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I;H01L21/77(2006.01)I |
主分类号 |
G02F1/1362(2006.01)I |
代理机构 |
北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 |
代理人 |
黄志华 |
主权项 |
一种阵列基板,其特征在于,所述阵列基板包括:位于栅极绝缘层和钝化层之间的电阻,以及在钝化层覆盖电阻的区域上有至少一个通孔,以使得在为所述电阻两端接上电压时,所述通孔将所述电阻上的电压导出以提供分压;其中,所述电阻与阵列基板中的有源层、源漏极层分离设置。 |
地址 |
100176 北京市大兴区经济技术开发区西环中路8号 |