发明名称 (Al,Ga,In)Nブールの製造方法、単結晶、マイクロエレクトロニクス・デバイス構造、(Al、Ga、In)Nブール、ウエハおよび部品
摘要 An (Al,Ga,ln)N boule comprising native (Al,Ga,ln)N seed material and (Al,Ga,ln)N material grown thereon, comprising an interlayer or at least one parting material layer contained within the boule.
申请公布号 JP5670289(B2) 申请公布日期 2015.02.18
申请号 JP20110221730 申请日期 2011.10.06
申请人 クリー インコーポレイテッドCREE INC. 发明人 バウド,ロバート,ピー.;フリン,ジェフリー,エス.;ブランデス,ジョージ,アール.;レッドウィング,ジョアン,エム.;ティシュラー,マイケル,エー.
分类号 C30B29/38;C30B23/00;C30B25/00;C30B25/02;C30B25/16;C30B25/18;C30B25/20;C30B33/00;H01L21/20;H01L21/203;H01L21/205;H01L33/32 主分类号 C30B29/38
代理机构 代理人
主权项
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