| 发明名称 | 部分耗尽绝缘体上硅三极管结构 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种部分耗尽绝缘体上硅三极管结构，包括：布置在衬底上的埋氧层、布置在埋氧层上的集电极区、布置在集电极区上方的基区、分别布置在基区两侧的超浅沟槽隔离区和基极区域、以及布置在超浅沟槽隔离区的与基区相对的一侧的集电极接触区；其中，集电极接触区的掺杂浓度大于集电极区的掺杂浓度，集电极区连接集电极接触区，集电极接触区、超浅沟槽隔离区、基区和基极区域处于硅片表面；而且，所述部分耗尽绝缘体上硅三极管结构还包括：布置在硅片表面上的多晶硅发射极。 | ||
| 申请公布号 | CN104362175A | 申请公布日期 | 2015.02.18 |
| 申请号 | CN201410668050.7 | 申请日期 | 2014.11.20 |
| 申请人 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 刘张李 |
| 分类号 | H01L29/73(2006.01)I;H01L29/08(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/73(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 郑玮 |
| 主权项 | 一种部分耗尽绝缘体上硅三极管结构，其特征在于包括：布置在衬底上的埋氧层、布置在埋氧层上的集电极区、布置在集电极区上方的基区、分别布置在基区两侧的超浅沟槽隔离区和基极区域、以及布置在超浅沟槽隔离区的与基区相对的一侧的集电极接触区。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号 | ||