发明名称 | 一种SOI器件结构及其制作方法 | ||
摘要 | 本发明提供一种SOI器件结构及其制作方法,该结构包括SOI衬底,SOI衬底的顶层硅中形成有由浅沟槽隔离结构隔离的有源区,所述有源区中形成有MOS晶体管;所述有源区侧壁与所述浅沟槽隔离结构之间形成有一收容空间,所述MOS晶体管还包括一对侧壁栅极,该一对侧壁栅极嵌入所述收容空间中,并与MOS晶体管的栅极连接。本发明通过简单的工艺优化形成3D的SOI器件,无需增加光罩数量,与CMOS工艺兼容;SOI器件结构中除了常规栅极,还包括侧壁栅极,使得有源区侧壁变成沟道,在相同的器件面积下,可以大大增加器件的有效宽度,进而增加驱动电流,提高器件性能;并且STI与侧壁沟道被多晶硅侧壁栅极隔开,使得STI远离有源区侧壁,能够提高器件的抗总剂量辐射能力。 | ||
申请公布号 | CN104362093A | 申请公布日期 | 2015.02.18 |
申请号 | CN201410541928.0 | 申请日期 | 2014.10.14 |
申请人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明人 | 胡志远;张正选;宁冰旭;毕大炜;彭超;邹世昌 |
分类号 | H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
代理机构 | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人 | 李仪萍 |
主权项 | 一种SOI器件结构,包括自下而上依次为背衬底、埋氧层及顶层硅的SOI衬底,所述顶层硅中形成有由浅沟槽隔离结构隔离的有源区,所述有源区中形成有MOS晶体管;所述MOS晶体管包括源极、漏极及栅极,其特征在于:所述有源区侧壁与所述浅沟槽隔离结构之间形成有一收容空间,所述MOS晶体管还包括一对侧壁栅极,该一对侧壁栅极嵌入所述收容空间中,并与所述栅极连接。 | ||
地址 | 200050 上海市长宁区长宁路865号 |