| 发明名称 | 一种以钯为靶材制备表面等离子体共振芯片的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种以钯为靶材制备表面等离子体共振芯片的方法，包括：将玻璃衬底放入真空溅射仪的生长室内；向所述生长室内通入氩气，抽真空至10<sup>-2</sup>～10<sup>-4</sup>mbr，以氧化铬为靶材，靶基距为4～7cm，在所述玻璃衬底上溅射氧化铬薄膜；向所述生长室内通入氩气，抽真空至10<sup>-2</sup>～10<sup>-4</sup>mbr，以钯为靶材、靶基距为4～7cm，在所述步骤b)得到的产物上溅射钯薄膜。本发明采用真空溅射原理，并采用4～7cm的靶基距，制备得到的金属薄膜厚度可控，约60nm，可以用于表面等离子体共振芯片。 | ||
| 申请公布号 | CN104359867A | 申请公布日期 | 2015.02.18 |
| 申请号 | CN201410587342.8 | 申请日期 | 2014.10.27 |
| 申请人 | 李博 | 发明人 | 李博 |
| 分类号 | G01N21/552(2014.01)I | 主分类号 | G01N21/552(2014.01)I |
| 代理机构 | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 | 代理人 | 龚燮英 |
| 主权项 | 一种以钯为靶材制备表面等离子体共振芯片的方法，其特征在于，包括：步骤a)将玻璃衬底放入真空溅射仪的生长室内；步骤b)向所述生长室内通入氩气，抽真空至10<sup>‑2</sup>～10<sup>‑4</sup>mbr，以氧化铬为靶材，靶基距为4～7cm，在所述玻璃衬底上溅射氧化铬薄膜；步骤c)向所述生长室内通入氩气，抽真空至10<sup>‑2</sup>～10<sup>‑4</sup>mbr，以钯为靶材、靶基距为4～7cm，在所述步骤b)得到的产物上溅射钯薄膜。 | ||
| 地址 | 545000 广西壮族自治区柳州市柳南区城站路94号一区17栋1单元602室 | ||