发明名称 |
氮化物半导体激光元件 |
摘要 |
本发明提供一种氮化物半导体激光元件,设有即便在激光器工作中也不会发生膜剥落的牢固的端面保护膜,具有较高的可靠性。氮化物半导体激光元件具备:半导体层叠体,其由III族氮化物半导体构成,并具有发光端面;和保护膜,其由按照覆盖半导体层叠体中的发光端面的方式形成的电介质多层膜构成,保护膜由端面保护层和氧扩散抑制层构成,从发光端面起按照端面保护层和氧扩散抑制层的顺序被配置,端面保护层是具有由含铝的氮化物构成的结晶性膜的层,氧扩散抑制层是氧化硅膜夹着金属氧化物膜的构造,金属氧化物膜通过激光而结晶化。 |
申请公布号 |
CN104364983A |
申请公布日期 |
2015.02.18 |
申请号 |
CN201380031459.1 |
申请日期 |
2013.08.28 |
申请人 |
松下知识产权经营株式会社 |
发明人 |
吉田真治;持田笃范;冈口贵大 |
分类号 |
H01S5/028(2006.01)I;H01S5/343(2006.01)I |
主分类号 |
H01S5/028(2006.01)I |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 11021 |
代理人 |
齐秀凤 |
主权项 |
一种氮化物半导体激光元件,具备:半导体层叠体,其由III族氮化物半导体构成,并具有发光端面;和保护膜,其由按照覆盖所述半导体层叠体中的所述发光端面的方式形成的电介质多层膜构成,所述保护膜由端面保护层和氧扩散抑制层构成,所述端面保护层和所述氧扩散抑制层从所述发光端面侧起按照所述端面保护层和氧扩散抑制层的顺序被配置,所述端面保护层是具有氮化铝膜的层,所述氧扩散抑制层是具备至少一层金属氧化物膜的构造,所述金属氧化物膜通过从所述发光端面出射的激光而被结晶化。 |
地址 |
日本国大阪府 |