| 发明名称 | 一种高k栅介质界面优化方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种高k栅介质界面优化方法。该方法包括：提供半导体衬底；去除半导体衬底表面自然氧化层；在半导体衬底上形成界面优化层；在界面优化层上形成界面反应层；在界面反应层上形成介质层；对半导体衬底进行热退火处理，使界面反应层与界面优化层发生反应，减小界面优化层厚度。 | ||
| 申请公布号 | CN102810468B | 申请公布日期 | 2015.02.18 |
| 申请号 | CN201110149701.8 | 申请日期 | 2011.06.03 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 许高博;徐秋霞 |
| 分类号 | H01L21/285(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/285(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京汉昊知识产权代理事务所(普通合伙) 11370 | 代理人 | 朱海波 |
| 主权项 | 一种高k栅介质界面优化方法，包括：提供半导体衬底；去除半导体衬底表面自然氧化层；在半导体衬底上形成界面优化层,所述优化层厚度为<img file="FDA0000612550430000011.GIF" wi="178" he="64" />在界面优化层上形成界面反应层；在界面反应层上形成介质层；对半导体衬底进行热退火处理，界面反应层与界面优化层发生反应减小界面优化层厚度，退火温度为600℃至1000℃，退火时间为20s至40s，退火气氛为氮气气氛。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||