| 发明名称 | 恒压电路、比较器及使用它们的电压监视电路 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种具有高PSRR的恒压电路。电流源(10)生成基准电流(Iref)。第一晶体管(M1)是耗尽型MOSFET，其一端与电流源(10)连接，并且其栅极源极之间相连接。第二晶体管(M2)是增强型MOSFET，其一端与第一晶体管(M1)的另一端连接，其另一端与固定电压端子连接，并且其栅极漏极之间相连接。第三MOSFET是增强型P沟道MOSFET，其一端与电流源(10)连接，其另一端与固定电压端子连接，并且其栅极与第一晶体管(M1)和第二晶体管(M2)的连接点(N1)连接。恒压电路(100)输出与第三晶体管(M3)的栅极电压及其源极电压中的至少一个对应的电压。 | ||
| 申请公布号 | CN102200792B | 申请公布日期 | 2015.02.18 |
| 申请号 | CN201110111392.5 | 申请日期 | 2011.03.28 |
| 申请人 | 罗姆股份有限公司 | 发明人 | 大山学 |
| 分类号 | G05F1/618(2006.01)I | 主分类号 | G05F1/618(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 邸万奎 |
| 主权项 | 一种恒压电路，其特征在于，包括：电流源，生成基准电流；耗尽型第一MOSFET，其一端与所述电流源相连接，并且其栅极源极之间相连接；增强型第二MOSFET，其一端与所述第一MOSFET的另一端连接，另一端与第一固定电压端子连接，并且其栅极漏极之间相连接；以及增强型P沟道第三MOSFET，其一端与所述电流源连接，另一端与所述第一固定电压端子连接，并且其栅极与所述第一MOSFET和所述第二MOSFET的连接点相连接，所述恒压电路输出与所述第三MOSFET的栅极电压和其源极电压中的至少一个相应的电压。 | ||
| 地址 | 日本京都府 | ||