抗反射涂层填充式超低介电常数之铜互连制造方法

摘要

一种抗反射涂层填充式超低介电常数之铜互连制造方法，包括：淀积无掺杂硅玻璃，并进行通孔光刻；一体化双大马士革结构刻蚀；金属铜填充制备工艺；化学机械研磨；湿法刻蚀去除所述作为过渡介质层的无掺杂硅玻璃，并形成电介质填充空间；填充所述抗反射涂层；对所述抗反射涂层进行等离子体刻蚀，使得抗反射涂层和金属铜填充之异于第一功能层的一侧具有同一水平面；淀积第二NDC阻隔层，完成当层铜互联结构。本发明采用无掺杂硅玻璃代替传统的Low-k电介质材料作为过渡介质层，并完成所述工艺，极大的扩充了蚀刻，湿法清洁，铜扩散保护层，铜填充和化学研磨等的工艺窗口，降低了对工艺设备的要求，节省生产成本，提高了半导体器件的电性和可靠性。

主权项

一种抗反射涂层填充式超低介电常数之铜互连制造方法，其特征在于，所述方法包括：执行步骤S1：在通过第一NDC阻隔层隔离的第一功能层上淀积无掺杂硅玻璃(Un‑doped Silicon Glass,USG)作为过渡介质层，并淀积硬掩膜结构、涂敷光阻，进行通孔光刻；执行步骤S2：利用USG作为过渡介质层，并在硬掩膜结构的遮蔽下进行一体化双大马士革结构刻蚀；执行步骤S3：利用USG作为过渡介质层，并在所述双大马士革结构内进行金属铜填充制备工艺，所述金属铜填充与所述第一功能层之铜填充连接；执行步骤S4：利用USG作为过渡介质层，并对所述双大马士革结构内的金属铜填充进行化学机械研磨(Chemical Mechanical Polishing,CMP)；执行步骤S5：湿法刻蚀去除所述作为过渡介质层的无掺杂硅玻璃，并形成电介质填充空间；执行步骤S6：在所述电介质填充空间内填充所述抗反射涂层；执行步骤S7：对所述抗反射涂层进行等离子体刻蚀，使得所述抗反射涂层和所述金属铜填充之异于所述第一功能层的一侧具有同一水平面；执行步骤S8：在所述抗反射涂层和所述金属铜填充所具有同一水平面上淀积第二NDC阻隔层，即完成当层的铜互联结构。