一种新型焦平面阵列电互连工艺

摘要

一种新型焦平面阵列电互连工艺，属于光电成像技术领域，为了解决焦平面探测器在冷压焊过程中铟柱产生形变而导致热导增大的问题，本发明一种新型焦平面阵列电互连工艺，包括以下步骤：一：焦平面探测器读出电路上的光刻工艺；二：金属膜层的沉积工艺，首先进行镍或铜金属膜的沉积，然后进行铟金属膜的沉积，且镍或铜金属膜层的厚度大于铟金属膜层的厚度；三：读出电路上的光刻胶剥离工艺；四：读出电路上的铟柱回流成球工艺；五：焦平面芯片上的电极制作工艺；六：焦平面芯片与读出电路的冷压焊互连工艺；本发明利用镍或铜作为铟柱支撑和电气连通金属，避免了冷压焊互连过程中由于铟柱变形导致的热导增大问题，从而提高焦平面阵列探测器的性能。

主权项

一种新型焦平面阵列电互连工艺，其特征在于，包括以下步骤：步骤一：焦平面探测器读出电路上的光刻工艺，通过紫外掩膜曝光，在光刻胶上形成图形，所述图形侧壁与读出电路表面倾角应小于或等于90°；步骤二：金属膜层的沉积工艺，首先进行镍或铜金属膜的沉积，然后进行铟金属膜的沉积，且镍或铜金属膜层的厚度大于铟金属膜层的厚度；步骤三：读出电路上的光刻胶剥离工艺，将读出电路芯片浸泡于溶解光刻胶的去胶溶液中，加热使光刻胶充分溶解，最终只有金属膜层驻留在芯片表面，形成铟柱与镍或铜金属柱互连金属柱；步骤四：读出电路上的铟柱回流成球工艺，将带有互连铟柱的芯片浸泡于氯化铵和甘油混合溶液中，加热至铟的熔点温度，使铟柱表面回流形成球状或半球状，同时去除表面氧化层；步骤五：焦平面芯片上的电极制作工艺，在探测器芯片上制作金属电极，金属电极直径与铟柱直径相同；步骤六：焦平面芯片与读出电路的冷压焊互连工艺，探测器芯片与读出电路的互连采用冷压焊方法，利用倒装焊接设备实现对准、压焊，完成互连工艺。