一种IGBT芯片背面制造方法

摘要

本发明涉及一种IGBT芯片背面制造方法，包括下述步骤：A、对IGBT芯片背面减薄；B、对所述IGBT芯片背面注入元素；C、对所述IGBT芯片背面退火；D、对所述IGBT芯片背面采用金属；E、对所述IGBT芯片进行背面合金工艺。在IGBT芯片正面完成后或者穿插在IGBT芯片正面制造过程中。通过减薄，注入，激活，扩散，背金，合金等工艺，完成IGBT芯片背面的结形貌（包括背发射极，背面缓冲层等）；同时完成背面集电极的电极引出。本发明加工步骤简洁，IGBT芯片背面制造方法的优化有利于改善芯片的性能，提高IGBT封装后的可靠性。

主权项

一种IGBT芯片背面制造方法，其特征在于，所述方法包括下述步骤： A、对IGBT芯片背面减薄； B、对所述IGBT芯片背面注入； C、对所述IGBT芯片背面退火； D、对所述IGBT芯片背面采用金属； E、对所述IGBT芯片进行背面合金工艺； 其中，所述步骤A中，根据IGBT器件的类型，设定芯片的最终厚度，进行减薄；进行减薄时结合IGBT芯片硅表面的粗糙度，并去掉IGBT芯片背面损伤层； 所述步骤B中，IGBT芯片背面注入还包括IGBT背面扩散；IGBT芯片背面注入的元素及注入条件由背面结形貌及IGBT器件类型决定；所述IGBT芯片背面包括两个结形貌，分别为背发射极结形貌和背面缓冲层结形貌；所述背发射极结形貌通过两次或两次以上三价元素注入形成；所述背面缓冲层结形貌通过多次的五价元素或六价元素注入形成；所述步骤C中，所述IGBT芯片背面退火包括炉管退火和激光退火；所述IGBT芯片背面退火用于激活背面注入元素，形成背面结形貌以及修复IGBT芯片背面损伤；所述IGBT芯片背面损伤由背面研磨和背面注入造成；所述背面注入与背面退火搭配操作，包括将一次注入和一次退火进行搭配而进行的多次操作，完成背面结形貌； 所述步骤D中，所述IGBT芯片背面采用复合多层金属结构； 所述步骤E中，进行背面合金工艺使IGBT芯片背面形成欧姆接触；该芯片背面制造在IGBT芯片正面制造开始前先进行所述步骤B的背面注入，在IGBT芯片正面制造完成后，顺序进行所述步骤A以及步骤C‑E；该芯片背面制造在IGBT芯片正面制造开始前先进行所述步骤B的背面注入时，背面注入不受后续IGBT芯片制造的限制或影响，背面注入工艺温度为1100‑1300℃。