发明名称 |
具有增大的电流入口面积的迹线上凸块结构 |
摘要 |
一种器件包括封装元件;位于该封装元件的表面上的金属迹线;以及覆盖该金属迹线的顶面和侧壁的第一介电掩模和第二介电掩模,其中该金属迹线的接合部分位于第一介电掩模和第二介电掩模之间,该接合部分包括具有第一宽度的第一部分和连接于第一部分一端的第二部分,该第二部分具有大于第一宽度的第二宽度,其中,在与金属迹线的纵向方向垂直的方向上测量第一宽度和第二宽度。本发明还提供了一种具有增大的电流入口面积的迹线上凸块结构。 |
申请公布号 |
CN102856262B |
申请公布日期 |
2015.02.18 |
申请号 |
CN201110336929.8 |
申请日期 |
2011.10.28 |
申请人 |
台湾积体电路制造股份有限公司 |
发明人 |
侯福财;林亮臣 |
分类号 |
H01L23/00(2006.01)I;H01L23/488(2006.01)I |
主分类号 |
H01L23/00(2006.01)I |
代理机构 |
北京德恒律师事务所 11306 |
代理人 |
陆鑫;高雪琴 |
主权项 |
一种半导体器件,包括:封装元件;金属迹线,位于所述封装元件的表面上;以及介电掩模对,所述介电掩模对中的一对包括第一介电掩模和第二介电掩模,所述第一介电掩模和所述第二介电掩模覆盖所述金属迹线的顶面和侧壁,其中,所述金属迹线的接合部分位于所述第一介电掩模和所述第二介电掩模之间,并且其中,所述接合部分包括:第一部分,具有第一宽度;和第二部分,连接于所述第一部分的端部,其中所述第二部分具有大于所述第一宽度的第二宽度,并且其中,在与所述金属迹线的纵向方向垂直的方向上测量所述第一宽度和所述第二宽度;其中,不同对的介电掩模彼此分隔。 |
地址 |
中国台湾新竹 |