发明名称 发光二极管
摘要 在此公开了一种发光二极管。所述发光二极管包括多个发光单元和使发光单元彼此连接的互连件,其中,互连件中的至少一个包括公共地电连接到两个发光单元的公共阴极;每个发光单元包括第一导电型半导体层、第二导电型半导体层以及设置在第一导电型半导体层和第二导电型半导体层之间的活性层;所述两个发光单元共用第一导电型半导体层;透明电极层连续地设置在所述两个发光单元之间,并且公共阴极通过透明电极层电连接到所述两个发光单元。根据本实用新型的实施例,所述发光二极管可以防止/减轻在上半导体层的边缘处的电流拥挤。
申请公布号 CN204167323U 申请公布日期 2015.02.18
申请号 CN201420465984.6 申请日期 2014.08.18
申请人 首尔伟傲世有限公司 发明人 吴世熙;金每恞;李剡劤;梁明学;尹馀镇
分类号 H01L27/15(2006.01)I;H01L33/38(2010.01)I;H01L33/62(2010.01)I 主分类号 H01L27/15(2006.01)I
代理机构 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 代理人 韩芳;刘灿强
主权项 一种发光二极管,其特征在于,所述发光二极管包括:多个发光单元;以及互连件,使发光单元彼此连接,其中,互连件中的至少一个包括公共地电连接到两个发光单元的公共阴极;每个发光单元包括第一导电型半导体层、第二导电型半导体层以及设置在第一导电型半导体层和第二导电型半导体层之间的活性层;所述两个发光单元共用第一导电型半导体层;其中,透明电极层连续地设置在所述两个发光单元之间,并且公共阴极通过透明电极层电连接到所述两个发光单元。
地址 韩国京畿道安山市