一种宽频高提取率的LED芯片结构及其设计方法

摘要

本发明属于LED技术领域，具体为一种宽频高提取率的LED芯片结构及其设计方法。本发明的LED芯片结构自下而上依次为：DBR反射层，蓝宝石衬底，缓冲层，n型半导体层，多量子阱层，p型半导体层，其中，p型半导体层中设计了正方晶格的锥形光子晶体阵列。本发明利用有限时域差分法，在p型半导体层上设计一种简单的锥形光子晶体结构，使芯片的出光率大幅度提高，尤其在460nm蓝光波段范围，效果显著，增强达14倍。本发明制作成本低，加工难度小，结合已有的ITO透明电极，电流扩散层，图形衬底，DBR反射层等技术将是LED光效有一个质的提高，可以大大降低单位流明成本，而且大幅度延长了LED寿命。

主权项

一种宽频高提取率的LED芯片结构，其特征在于：其自下而上依次为：DBR反射层1，蓝宝石衬底2，缓冲层3，n型半导体层4，多量子阱层5，p型半导体层6，其中，p型半导体层6中设计了正方晶格的锥形光子晶体阵列。