| 发明名称 | 半导体层叠结构体和半导体元件 | ||
| 摘要 | 本发明提供具有Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>基板和Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>基板上的晶体品质高的氮化物半导体层的半导体层叠结构体及包括该半导体层叠结构体的半导体元件。在一个实施方式中，提供半导体层叠结构体(1)，其具有：β-Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>基板(2)，其包含将从(-201)面朝向[102]方向倾斜的面作为主面(2a)的β-Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>晶体；以及氮化物半导体层(4)，其包含在β-Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>基板(2)的主面(2a)上通过晶体外延生长而形成的Al<sub>x</sub>Ga<sub>y</sub>In<sub>z</sub>N(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤z≤1，x+y+z＝1)晶体。 | ||
| 申请公布号 | CN104364883A | 申请公布日期 | 2015.02.18 |
| 申请号 | CN201380028938.8 | 申请日期 | 2013.05.27 |
| 申请人 | 株式会社田村制作所;株式会社光波 | 发明人 | 饭冢和幸;渡边信也;舆公祥;胁本大树;山下佳弘;佐藤慎九郎 |
| 分类号 | H01L21/205(2006.01)I;C23C16/34(2006.01)I;C30B25/18(2006.01)I;C30B29/38(2006.01)I;H01L33/16(2006.01)I;H01L33/32(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/205(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市隆安律师事务所 11323 | 代理人 | 徐谦 |
| 主权项 | 一种半导体层叠结构体，其特征在于，具有：基板，其包含将从(‑201)面朝向[102]方向倾斜的面作为主面的β‑Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>晶体；以及氮化物半导体层，其包含在上述基板的上述主面上通过晶体外延生长而形成的Al<sub>x</sub>Ga<sub>y</sub>In<sub>z</sub>N(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤z≤1，x+y+z＝1)晶体。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||