MEMS圆片级三维混合集成封装结构及方法

摘要

本发明提出了一种基于Chip to Wafer叠层方式的MEMS圆片级三维混合集成封装结构及方法，其特征在于通过玻璃浆料低温键合实现MEMS器件圆片和硅盖板圆片的键合，实现圆片级气密/真空封装，完成MEMS器件可动部件的保护；采用Chip to Wafer叠层方式在硅盖板圆片表面贴装互连ASIC等CMOS芯片，实现ASIC等CMOS芯片与MEMS器件圆片的三维混合集成；将分立的集成微系统贴装在低成本的有机基板上，采用引线键合方式完成CMOS芯片、MEMS器件和基板的多层互连，并采用围坝(Dam)方式灌注(Fill)低应力塑封料以保护集成微系统，提高环境可靠性。从而形成高密度、易加工、低成本、低应力和高可靠性的MEMS圆片级三维混合集成封装结构。

主权项

一种MEMS圆片级三维混合集成封装结构，其特征在于通过MEMS器件圆片和硅盖板圆片的键合，实现圆片级气密/真空封装；采取芯片到圆片叠层方式在硅盖板圆片表面贴装互连ASIC和运放IC两个CMOS芯片或非限定为ASIC和运放IC的两个CMOS芯片，实现CMOS芯片与MEMS器件圆片的三维混合集成；将分立的集成微机电系统贴装在有机基板上并进行塑封保护和引出；ASIC为专用集成电路英文缩写。