发明名称 |
一种晶体硅铸锭用坩埚氮化硅涂层的制作方法 |
摘要 |
本发明公开了一种晶体硅铸锭用坩埚氮化硅涂层的制作方法,采用液相沉积的方法在坩埚内壁的易粘埚区域制得氮化硅涂层后,对该区域氮化硅涂层进行致密化和非浸润性处理,并采用液相沉积的方法在坩埚内壁的其它区域制得氮化硅涂层,最后将氮化硅涂层进行低温烘烤或免烧结处理,获得晶体硅铸锭用坩埚氮化硅涂层。该方法可显著提高氮化硅涂层整体强度,尤其可以提高易粘埚区域涂层的强度及其对硅熔体的非浸润性,可有效避免粘埚现象的发生,避免了氮化硅粉尘的产生,进一步提高了氮化硅粉的有效利用率,降低了生产成本,增强了操作过程中的环境友好性,降低了对人体的伤害;并且由于无需或仅需低温烘烤,减少了能源的浪费缩短了生产周期。 |
申请公布号 |
CN102898034B |
申请公布日期 |
2015.02.18 |
申请号 |
CN201210369325.8 |
申请日期 |
2012.09.28 |
申请人 |
东海晶澳太阳能科技有限公司;南京工业大学 |
发明人 |
黄新明;尹长浩;周海萍;钟根香 |
分类号 |
C03C17/22(2006.01)I |
主分类号 |
C03C17/22(2006.01)I |
代理机构 |
广州知友专利商标代理有限公司 44104 |
代理人 |
李海波 |
主权项 |
一种晶体硅铸锭用坩埚氮化硅涂层的制作方法,其特征是:采用液相沉积的方法在坩埚内壁的易粘埚区域制得氮化硅涂层后,对该区域氮化硅涂层进行致密化和非浸润性处理,并采用液相沉积的方法在坩埚内壁的其它区域制得氮化硅涂层,最后将氮化硅涂层进行低温烘烤或免烧结处理,获得晶体硅铸锭用坩埚氮化硅涂层。 |
地址 |
222300 江苏省连云港市东海县经济开发区西区光明路1号 |