铜互连的扩散阻挡层、半导体器件及其制造方法

摘要

本发明公开了一种铜互连的扩散阻挡层、半导体器件及其制造方法，通过三步沉积钽或氮化钽薄膜，在接触孔底部形成钽-钽或钽-氮化钽-钽结构、在侧壁形成氮化钽-钽结构，在接触孔底部处与下层金属的结合力更强，能够有效减少下层铜线与扩散阻挡层应力，提高抗应力迁移和电迁移的能力，大大提高集成电路的可靠性；在接触孔侧壁处具有更好的机械强度，可很好地弥补超低介电质在机械强度上的不足，提高产品质量和寿命。

主权项

一种铜互连的扩散阻挡层，用于接触孔的铜集成应用中，其特征在于，其包括：第一钽层，覆盖于该接触孔的底部；氮化钽层，覆盖于该接触孔的侧壁；以及第二钽层，覆盖于该第一钽层和氮化钽层之上。