发明名称 一种电子束快速成型制造设备聚焦系统
摘要 本实用新型涉及一种电子束快速成型制造设备聚焦系统包括聚焦装置、主聚焦电源、副聚焦电源、计算机控制单元;电子束快速成型制造设备采用短磁透镜聚焦,所述聚焦装置为圆柱形结构,安装于电子枪电子束出口的次近部位,所述主聚焦电源,其与主聚焦绕组连接;所述副聚焦电源,其与副聚焦绕组连接;所述计算机控制单元分别与主聚焦电源和副聚焦电源连接。相对现有技术,本实用新型具有降低磁场的动态损耗,引入动态补偿功能抑制全磁路动态附加损耗对聚焦精度的影响等优点。
申请公布号 CN204167255U 申请公布日期 2015.02.18
申请号 CN201420440656.0 申请日期 2014.08.06
申请人 桂林狮达机电技术工程有限公司 发明人 黄小东;韦寿祺;费翔;陆思恒;郭华艳;陆苇
分类号 H01J37/305(2006.01)I;H01J37/304(2006.01)I 主分类号 H01J37/305(2006.01)I
代理机构 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 代理人 杨立
主权项 一种电子束快速成型制造设备聚焦系统,包括聚焦装置(12)、主聚焦电源(7)、副聚焦电源(8)、计算机控制单元;电子束快速成型制造设备采用短磁透镜聚焦,所述聚焦装置(12)为圆柱形结构,安装于电子枪电子束(14)出口的次近部位,其包括导磁外框架(1)、导磁内框架(2)、电子束通道(3)、主聚焦绕组(5)、副聚焦绕组(4)、磁隙(6);所述导磁内框架(2)为空心圆柱体,所述导磁外框架(1)置于导磁内框架(2)的外圆侧,且导磁外框架(1)和导磁内框架(2)构成一腔体;所述电子束通道(3)为导磁内框架(2)圆柱内壁围成的空心圆柱状;所述主聚焦绕组(5)和副聚焦绕组(4)均绕在导磁内框架(2)圆柱的外圆侧和内圆侧之间,位于导磁外框架(1)和导磁内框架(2)构成的空腔内;所述磁隙(6)为嵌在导磁内框架(2)圆柱上的圆环小柱,分断了导磁内框架(2)圆柱部分的导磁通道;所述导磁外框架(1)和导磁内框架(2)由导磁材料粉末和有机绝缘胶浇注成型,所述磁隙(6)为绝缘材料;所述主聚焦电源(7),其与主聚焦绕组(5)连接,将给定电压信号<img file="dest_path_FDA0000651573020000011.GIF" wi="78" he="80" />与取样电压信号U<sub>F</sub>通过比较、PI调节运算和放大处理后,调整输出电压,向主聚焦绕组(5)输出稳定的主聚焦电流I<sub>F</sub>;所述副聚焦电源(8),其与副聚焦绕组(4)连接,将给定电压信号<img file="dest_path_FDA0000651573020000012.GIF" wi="75" he="80" />及其变化率进行线性组合作为总给定信号,总给定信号与取样电压信号U<sub>f</sub>通过比较和放大处理后,调整输出电压,向副聚焦绕组(4)输出副聚焦电流I<sub>f</sub>;所述计算机控制单元承担电子束快速成型制造设备的总控任务,其分别与主聚焦电源(7)和副聚焦电源(8)连接,分别向主聚焦电源(7)和副 聚焦电源(8)输出给定电压信号<img file="dest_path_FDA0000651573020000021.GIF" wi="78" he="80" />和<img file="dest_path_FDA0000651573020000022.GIF" wi="113" he="80" />
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