发明名称 使用切晶带一体型晶圆背面保护膜制造半导体器件之方法;PROCESS FOR PRODUCING A SEMICONDUCTOR DEVICE USING A DICING TAPE-INTEGRATED WAFER BACK SURFACE PROTECTIVE FILM
摘要 本发明提供一种切晶带一体型晶圆背面保护膜,其包括:一切晶带,其包括一基底材料及一形成于该基底材料上之压敏黏接层;及一晶圆背面保护膜,其形成于该切晶带之该压敏黏接层上,其中该晶圆背面保护膜经着色,且该有色晶圆背面保护膜具有3GPa或更大之弹性模数(23℃)。该有色晶圆背面保护膜较佳具有雷射标记能力。该切晶带一体型晶圆背面保护膜可适用于一覆晶安装半导体器件。; and a wafer back surface protective film formed on the pressure-sensitive adhesive layer of the dicing tape, in which the wafer back surface protective film is colored, and the colored wafer back surface protective film has an elastic modulus (23℃) of 3 GPa or more. It is preferable that the colored wafer back surface protective film has a laser marking ability. The dicing tape-integrated wafer back surface protective film can be suitably used for a flip chip-mounted semiconductor device.
申请公布号 TW201506120 申请公布日期 2015.02.16
申请号 TW103136367 申请日期 2010.01.29
申请人 日东电工股份有限公司 发明人 高本尚英
分类号 C09J7/02(2006.01);H01L21/304(2006.01);H01L21/68(2006.01) 主分类号 C09J7/02(2006.01)
代理机构 代理人 陈长文
主权项
地址 日本